Status ：In development
Polarity ：Single-N
Type ：SiC MOSFET
Package ：TO-247-4L
VDS [V] ：650
ID [A] ：105
RDS(ON) [mΩ] Typ. ：26
RDS(ON) [mΩ] Max. ：38
VTH [V] Min. ：
VTH [V] Typ. ：3
VTH [V] Max. ：
Ciss [pF] ：3249
Coss [pF] ：193
Crss [pF] ：14
td(on) [nS] ：2
tr [nS] ：22
td(off) [nS] ：34
tf [nS] ：12
Qg [nC] ：138
Qgs [nC] ：68.7
Qgd [nC] ：24.2
EAS [mJ] ：
TRR [ns] ：25.5
PD [W] ：341
Built-in ESD ：No
TJ Max. ：175
Qualification ：Industrial
